导通电阻(RDS(on)):1.2Ω,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):25W,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |