导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@32A,10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):3800pF@40V,连续漏极电流(Id):64A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V@65uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@32A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 3800pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@65uA |