反向传输电容(Crss):380pF,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):90nC@10V,漏源电压(Vdss):45V,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):5400pF,输出电容(Coss):970pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 380pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
耗散功率(Pd) | 65W | |
输入电容(Ciss) | 5400pF | |
输出电容(Coss) | 970pF | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |