反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@2.5V,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@4V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.83W,输入电容(Ciss):630pF@10V,连续漏极电流(Id):5A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 145pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@4V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |