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RM2003
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM2003
- 商品编号
- C3280194
- 商品封装
- SOT-23-6
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):37pF@10V,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@2.5A,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):3.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):325pF@10V,输入电容(Ciss):325pF@10V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5A,4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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