反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):9A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |