反向传输电容(Crss):52pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):5.8A,连续漏极电流(Id):3.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 52pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
输入电容(Ciss) | 700pF | |
输出电容(Coss) | 66pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.458/个 |
50+ | ¥0.417/个 |
150+ | ¥0.397/个 |
500+ | ¥0.382/个 |
3000+ | ¥0.241/个 |
6000+ | ¥0.235/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.223
3000 PCS/盘
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