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5件套 ID:125A VDSS:1200V RDON:15mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HC1M15120S
商品编号: C41428811
商品封装: SOT-227
商品毛重: 0.0422千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@18V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):222nC,栅极电荷量(Qg):222nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):681W,输入电容(Ciss):4508pF,输出电容(Coss):214pF,连续漏极电流(Id):125A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	26pF
导通电阻(RDS(on))	22mΩ
导通电阻(RDS(on))	22mΩ@18V
工作温度	-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	222nC
栅极电荷量(Qg)	222nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	681W
输入电容(Ciss)	4508pF
输出电容(Coss)	214pF
连续漏极电流(Id)	125A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4V