碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性实物图

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性缩略图

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碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: STE145N65M5-HXY
商品编号: C53133733
商品封装: SOT-227
商品毛重: 0.04158千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):37pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):268nC,漏源电压(Vdss):750V,类型:-,耗散功率(Pd):417W,输入电容(Ciss):6220pF,输出电容(Coss):482pF,连续漏极电流(Id):165A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.7V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	37pF
导通电阻(RDS(on))	15mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
数量	-
栅极电荷量(Qg)	268nC
漏源电压(Vdss)	750V
类型	-
耗散功率(Pd)	417W
输入电容(Ciss)	6220pF
输出电容(Coss)	482pF
连续漏极电流(Id)	165A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	2.7V