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ID:55A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HSCTW60N120G2
商品编号: C42389110
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.00708千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):120nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):2440pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	11pF
导通电阻(RDS(on))	52mΩ
工作温度	-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	120nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	278W
输入电容(Ciss)	2440pF
输出电容(Coss)	171pF
连续漏极电流(Id)	55A
阈值电压(Vgs(th))	4V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥55.766/个
10+	¥54.032/个
12+	¥54.032/个
14+	¥54.032/个
16+	¥54.032/个
18+	¥54.032/个

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整盘

单价

整盘单价¥54.032

30 PCS/盘

库存总量

5 PCS

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