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HC3M0060065D
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC3M0060065D
- 商品编号
- C19723857
- 商品封装
- TO-247-3L
- 商品毛重
- 0.0122千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):79mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,栅极电荷量(Qg):46nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1020pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):29A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
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