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HC2M0045170D
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC2M0045170D
- 商品编号
- C19723849
- 商品封装
- TO-247-3L
- 商品毛重
- 0.0118千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):6.7pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):188nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):520W,输入电容(Ciss):3672pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):72A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 输入电容(Ciss) | 3672pF | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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