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1200V 40mΩ SiC MOSFET

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品牌名称: JIAENSEMI(佳恩半导体)
厂家型号: JNCF120R040HR1
商品编号: C51484306
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.0069千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

导通电阻(RDS(on)):40mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):163nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):2534pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on))	40mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	163nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	375W
输入电容(Ciss)	2534pF
输出电容(Coss)	110pF
连续漏极电流(Id)	75A
阈值电压(Vgs(th))	2.8V

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