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1200V SiC功率MOSFET
扩展库- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 厂家型号
- S1M040120D
- 商品编号
- C22363606
- 商品封装
- TO-247-3L
- 商品毛重
- 0.0091千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):76nC,栅极电荷量(Qg):76nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):326W,输入电容(Ciss):2159pF,输出电容(Coss):127pF,连续漏极电流(Id):73A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 输入电容(Ciss) | 2159pF | |
| 输出电容(Coss) | 127pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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