反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):198nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):469W,输入电容(Ciss):3741pF,输出电容(Coss):224pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 17pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 198nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 469W | |
输入电容(Ciss) | 3741pF | |
输出电容(Coss) | 224pF | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥45.05/个 |
10+ | ¥38.87/个 |
30+ | ¥35.1/个 |
90+ | ¥31.94/个 |
92+ | ¥31.94/个 |
94+ | ¥31.94/个 |
整盘
单价
整盘单价¥32.292
30 PCS/盘
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