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1200V N沟道碳化硅功率MOSFET

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品牌名称: ANHI(安海)
厂家型号: ADW120N040BH
商品编号: C22470095
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.008017千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):7.02pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):105nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):273W,输入电容(Ciss):2530pF,输出电容(Coss):110.7pF,连续漏极电流(Id):50.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	7.02pF
导通电阻(RDS(on))	60mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	105nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	273W
输入电容(Ciss)	2530pF
输出电容(Coss)	110.7pF
连续漏极电流(Id)	50.5A
阈值电压(Vgs(th))	4V

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