反向传输电容(Crss):4.3pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@15V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):1020pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 214W | |
输入电容(Ciss) | 1020pF | |
连续漏极电流(Id) | 44A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |