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ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HSCTW40N120G2VAG
商品编号: C42389103
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.00682千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):90mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):1390pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	2pF
导通电阻(RDS(on))	90mΩ
工作温度	-40℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	54nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	136W
输入电容(Ciss)	1390pF
输出电容(Coss)	58pF
连续漏极电流(Id)	32A
阈值电压(Vgs(th))	3.6V