反向传输电容(Crss):3.9pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):920pF,连续漏极电流(Id):38A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 214W | |
输入电容(Ciss) | 920pF | |
连续漏极电流(Id) | 38A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥20.32/个 |
10+ | ¥17.37/个 |
30+ | ¥15.62/个 |
90+ | ¥13.85/个 |
510+ | ¥13.03/个 |
990+ | ¥12.66/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.3704
30 PCS/盘
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