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碳化硅功率N沟道MOSFET 1200V 65mΩ 49A

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品牌名称: Power X(芯科半导体)
厂家型号: KXMW120R80T3
商品编号: C20607110
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.005千克(kg)
包装方式: 管装

商品参数

反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):46nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):251W,输入电容(Ciss):1083pF,输出电容(Coss):83pF,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	3pF
导通电阻(RDS(on))	65mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	46nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	251W
输入电容(Ciss)	1083pF
输出电容(Coss)	83pF
连续漏极电流(Id)	49A
阈值电压(Vgs(th))	2.9V