漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):519W,连续漏极电流(Id):68A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 519W | |
连续漏极电流(Id) | 68A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥32.32/个 |
10+ | ¥27.63/个 |
30+ | ¥24.85/个 |
90+ | ¥22.03/个 |
510+ | ¥20.73/个 |
990+ | ¥20.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥22.862
30 PCS/盘
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