温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准

碳化硅功率单N沟道MOSFET，1200V，32mΩ，68A

扩展库

品牌名称: Power X(芯科半导体)
厂家型号: KXMW120R40T3
商品编号: C20607109
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.0052千克(kg)
包装方式: 管装

商品参数

反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):97nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):519W,输入电容(Ciss):2062pF,输出电容(Coss):154pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V

找到类似商品：0 种查看类似商品

属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	3pF
导通电阻(RDS(on))	32mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	97nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	519W
输入电容(Ciss)	2062pF
输出电容(Coss)	154pF
连续漏极电流(Id)	68A
阈值电压(Vgs(th))	2.4V