反向传输电容(Crss):8pF,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,输入电容(Ciss):550pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
输入电容(Ciss) | 550pF | |
输出电容(Coss) | 28pF | |
连续漏极电流(Id) | 22A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥16.88/个 |
10+ | ¥14.39/个 |
30+ | ¥12.15/个 |
90+ | ¥10.55/个 |
510+ | ¥9.83/个 |
990+ | ¥9.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.178
30 PCS/盘
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