反向传输电容(Crss):25pF@30V,导通电阻(RDS(on)):77mΩ@4.5V,3A,工作温度:-,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):450pF@30V,输出电容(Coss):85pF,输出电容(Coss):60pF,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):3.2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V,3A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@30V | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |