反向传输电容(Crss):10pF@10V,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@2.5V,1.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@2.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):180pF@10V,连续漏极电流(Id):1.4A,阈值电压(Vgs(th)):0.75V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@2.5V,1.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.75V |