反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):416pF,输出电容(Coss):43pF,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 输出电容(Coss) | 43pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |