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NID9N05ACLT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NID9N05ACLT4G
- 商品编号
- C462930
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000374千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF@40V,导通电阻(RDS(on)):67mΩ@12V,9A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):52V,耗散功率(Pd):1.74W,输入电容(Ciss):250pF@40V,连续漏极电流(Id):9A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):1.75V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@12V,9A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 52V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.74W | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 配置 | 共源 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V |
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