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FQD2N80TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD2N80TM
- 商品编号
- C463026
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000371千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):6.3Ω@10V,0.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@640V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):550pF@25V,连续漏极电流(Id):1.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3Ω@10V,0.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@640V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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