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FDBL0260N100
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDBL0260N100
- 商品编号
- C463238
- 商品封装
- MO-299A
- 商品毛重
- 0.00093千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF@50V,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):116nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):6175pF@50V,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 6175pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
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