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FDBL0120N40
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDBL0120N40
- 商品编号
- C900875
- 商品封装
- MO-299A
- 商品毛重
- 0.0011千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):129pF,导通电阻(RDS(on)):0.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):90nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):7735pF,输出电容(Coss):2160pF,连续漏极电流(Id):240A,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 7735pF | |
| 输出电容(Coss) | 2160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
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