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FDBL86063-F085
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDBL86063-F085
- 商品编号
- C900879
- 商品封装
- MO-299A
- 商品毛重
- 0.001394千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):357W,输入电容(Ciss):5120pF,输出电容(Coss):3220pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 输入电容(Ciss) | 5120pF | |
| 输出电容(Coss) | 3220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥56.36/个 |
| 10+ | ¥47.97/个 |
| 30+ | ¥42.85/个 |
| 100+ | ¥38.57/个 |
| 102+ | ¥38.57/个 |
| 104+ | ¥38.57/个 |
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