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FQB7N60TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQB7N60TM
- 商品编号
- C467456
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001666千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,3.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):3.13W,输入电容(Ciss):1430pF@25V,连续漏极电流(Id):7.4A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 输入电容(Ciss) | 1430pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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