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SIHF12N50C-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHF12N50C-E3
- 商品编号
- C467929
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.00303千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):17pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.555Ω@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):1375pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.555Ω@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 输入电容(Ciss) | 1375pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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