导通电阻(RDS(on)):1.1mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):114W,连续漏极电流(Id):320A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 114W | |
连续漏极电流(Id) | 320A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |