反向传输电容(Crss):5.8pF@50V,导通电阻(RDS(on)):82mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):2990pF@50V,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1000uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5.8pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 278W | |
输入电容(Ciss) | 2990pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1000uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.79/个 |
10+ | ¥10.89/个 |
30+ | ¥9.7/个 |
90+ | ¥8.48/个 |
510+ | ¥7.93/个 |
990+ | ¥7.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.924
30 PCS/盘
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