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WTM20N65AP
扩展库- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 厂家型号
- WTM20N65AP
- 商品编号
- C48642341
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002722千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):30.2nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):1240pF,输出电容(Coss):34pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 1240pF | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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