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BCBF170N650T1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BCBF170N650T1
- 商品编号
- C49297070
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2.1pF,导通电阻(RDS(on)):650mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):13.2nC,栅极电荷量(Qg):13.2nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):78W,输入电容(Ciss):183pF,输出电容(Coss):17.1pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 输入电容(Ciss) | 183pF | |
| 输出电容(Coss) | 17.1pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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