反向传输电容(Crss):1.5pF,导通电阻(RDS(on)):630mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):13nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):71W,输入电容(Ciss):321pF,输出电容(Coss):8pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 输入电容(Ciss) | 321pF | |
| 输出电容(Coss) | 8pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥34.48/个 |
| 10+ | ¥33.68/个 |
| 50+ | ¥33.14/个 |
| 100+ | ¥32.6/个 |
| 102+ | ¥32.6/个 |
| 104+ | ¥32.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥30.4888
50 PCS/盘
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