反向传输电容(Crss):0.8pF,导通电阻(RDS(on)):350mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):64W,输入电容(Ciss):331pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 输入电容(Ciss) | 331pF | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥34.48/个 |
| 10+ | ¥29.87/个 |
| 30+ | ¥27.05/个 |
| 100+ | ¥24.7/个 |
| 102+ | ¥24.7/个 |
| 104+ | ¥24.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥22.724
800 PCS/盘
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