导通电阻(RDS(on)):77mΩ,导通电阻(RDS(on)):77mΩ@20V,栅极电荷量(Qg):61nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):188W,连续漏极电流(Id):35A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@20V | |
栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 188W | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |