导通电阻(RDS(on)):77mΩ,导通电阻(RDS(on)):77mΩ@20V,栅极电荷量(Qg):61nC,栅极电荷量(Qg):61nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):188W,连续漏极电流(Id):35A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥98.71/个 |
| 10+ | ¥97.31/个 |
| 30+ | ¥96.46/个 |
| 100+ | ¥95.75/个 |
| 102+ | ¥95.75/个 |
| 104+ | ¥95.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥88.09
800 PCS/盘
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