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IMBG65R048M1HXTMA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG65R048M1HXTMA1
- 商品编号
- C3276336
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.0015千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):183W,连续漏极电流(Id):45A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
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|---|---|
| 1+ | ¥45.7/个 |
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| 30+ | ¥43.72/个 |
| 100+ | ¥42.93/个 |
| 102+ | ¥42.93/个 |
| 104+ | ¥42.93/个 |
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