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STB20NM60T4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB20NM60T4
- 商品编号
- C500936
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001566千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):35pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.29Ω@10V,20A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):1500pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.29Ω@10V,20A | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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