反向传输电容(Crss):78pF@30V,导通电阻(RDS(on)):2.9mΩ@10V,84A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):5125pF@30V,连续漏极电流(Id):84A,阈值电压(Vgs(th)):3.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,84A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 5125pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |