反向传输电容(Crss):121pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.46Ω@10V,3.4A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):620pF@100V,连续漏极电流(Id):13.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 121pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.46Ω@10V,3.4A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 620pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 13.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |