温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
IPI030N10N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI030N10N3 G
- 商品编号
- C536960
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):69pF,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):206nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):14800pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 14800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
13.3 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车