温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
IPI076N12N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI076N12N3 G
- 商品编号
- C536967
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):31pF@60V,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):188W,输入电容(Ciss):4.99nF@60V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输入电容(Ciss) | 4.99nF@60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
8.54 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车