反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.3nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):148.6W,输入电容(Ciss):900pF,输出电容(Coss):124pF,连续漏极电流(Id):4A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 148.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输出电容(Coss) | 124pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |