反向传输电容(Crss):2.34pF,导通电阻(RDS(on)):0.57Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):603pF@100V,输出电容(Coss):22.5pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.57Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 603pF@100V | |
| 输出电容(Coss) | 22.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |