反向传输电容(Crss):1.46nF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.97mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):300nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):14.24nF@25V,连续漏极电流(Id):426A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.46nF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.97mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输入电容(Ciss) | 14.24nF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 426A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |