反向传输电容(Crss):534pF,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V,170A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):300nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):8970pF,连续漏极电流(Id):270A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 534pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,170A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输入电容(Ciss) | 8970pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |