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IPI65R190C6
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI65R190C6
- 商品编号
- C536995
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):308pF@480V,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@10V,7.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):151W,输入电容(Ciss):1620pF@100V,连续漏极电流(Id):20.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 308pF@480V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@10V,7.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 输入电容(Ciss) | 1620pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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